VisualHMI RW

VisualHMI RW 存储区使用说明与寿命风险提示

VisualHMI 提供 RW（掉电保持）存储区，地址范围 0x0000~0x7FFF，共 64 KB（32,768 × 2 字节）。该区域基于 Flash 存储介质实现，出厂时默认值为 0xFFFF（Flash 空白状态）。

⚠️ 关键风险说明

1. Flash 寿命限制： Flash 存储单元的额定擦除次数约为 10 万次。每次擦除操作均会导致存储单元电子栅逐渐退化，超过额定次数后电荷无法稳定保持，导致数据丢失或错误。
2. 内部写入机制： 系统内置 4 KB 写入缓存队列，大约每累积 400 次写入 后触发一次 Flash 擦写操作。频繁、分散的写入将显著加速擦除次数消耗。
3. 严重系统风险： RW 存储区与固件存储区域物理相邻。若 RW 区因过度擦写导致 Flash 单元失效，可能扩散至固件区域，造成：
   • 固件数据损坏（即使单个比特错误）
     • “黑屏，设备无法启动
     • “no firmware” 蓝屏错误，设备无法启动
   • RW数据损坏损坏
     • RW区域掉电不存储

✅ 使用建议

• 规划地址连续分配，避免频繁随机写入。
• 优先使用 set_array 批量写入，减少单次擦写触发频率。
• 控制写入频率与数据量，若需频繁保存变量，建议通过逻辑层聚合写入操作。
• 一次写入多个 RW 变量时，应根据 400 次/擦除 的机制折算实际寿命，合理安排存储策略。

总结

RW 存储区适用于非频繁更新的配置参数或历史数据记录，严禁用于高频实时数据保存。正确规划存储策略与写入方式，是保障系统长期稳定运行的关键。